基本信息
| 标准名称： | 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 |
| 英文名称： | Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method |
| 中标分类： | 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： | 电气工程 >> 半导体材料 |
| 替代情况： | 替代GB/T 14146-1993 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2009-10-30 |
| 实施日期： | 2010-06-01 |
| 首发日期： | 1993-02-06 |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 提出单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 归口单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 起草单位： | 南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心 |
| 起草人： | 马林宝、唐有青、刘培东、李静、金龙、吕立平 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2010-06-01 |
| 页数： | 12页 |
| 计划单号： | 20065633-T-469 |
适用范围
本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容电压测量方法。
本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为:4×1013cm-3~8×1016cm-3。
本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽层的深度。
本标准也可适用于硅抛光片的载流子浓度测量。
前言
没有内容
目录
没有内容
引用标准
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1552 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
GB/T14847 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
所属分类： 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料